第869章 内存危机（2 / 2）

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上一次，东之和日新联合华尔街切断特种气体供应，企图把龙腾的晶圆厂掐死在摇篮里。

林超用伪造的出口机床档案，把东之社长送进了监狱。

那只是反击。

扶桑人最大的护城河依然在，那就是全球最高效的存储芯片产能。

他们掌握着最成熟的平面电容存储技术，依靠变态的良品率称霸市场。

现在他们又联合艾比姆来卡平果的脖子。

既然要打就得从根子上把这座护城河连根拔起。

让整个扶桑半导体行业在技术代差面前体会绝望。

林超挂断电话，走到办公室门前，反手将门锁死。

他闭上眼，意念沉入研究所空间。

他拉过椅子坐在电脑前，敲击键盘，在数据库中输入搜索指令：动态随机存取存储器，DRAM，工艺图纸。

这个年代，扶桑半导体企业能够称霸市场，靠的是在平面电容技术上死磕出来的变态良品率。

他们用大量的人工和极度精细的管理，把旧路线走到了极致，借此击败了欧美同行。

但平面电容技术天生存在面积瓶颈，随着容量的提升，成本会呈指数级增长。

林超这次要调出的是改良版的“沟槽电容”设计。

这种设计将电容垂直挖入硅片内部，成倍节省面积，在不增加芯片物理尺寸的前提下大幅提高存储容量。

不仅如此，这份工艺还包含优化后的光刻掩膜流程，将原本繁琐的层数砍掉近半。

少了一半的工艺步骤，意味着出错概率大幅下降。

数据显示，这套工艺的良品率能直接飙升到95%以上。

而且制造成本连扶桑原厂的十分之一都不到。

这在八十年代初期，属于纯粹的降维打击。

打印机嗡嗡作响，将资料一页页吐出。

林超拿起那叠还带着温度的图纸，装进牛皮纸袋。

深夜，婆罗洲花岗岩山体防空洞。

无尘车间外，安全通道的黄灯忽明忽暗。

林超换上除尘服，大步迈入中控区。

顾应湘和周文远还趴在控制台前，盯着新一批刻蚀机的参数。

林超走过去，将那叠图纸拍在不锈钢桌面上。

“分出一条生产线，转产这个。”

林超下达指令。

周文远揉了揉布满血丝的双眼，翻开图纸的第一页。

他的目光刚落在电路拓扑结构图上，整个人就定住了。

作为仙同半导体出来的资深工程师，他看过无数架构，但这一份截然不同。

他的手指在纸面上划过，指着那个垂直打孔的标绘。

“把电容做在硅基底里面？打孔？

这需要极高的刻蚀精度。

但掩膜步骤……”

他迅速往后翻，视线在工艺流程页上快速扫动。

“掩膜层数少了一半。

这就意味着出错率呈指数级下降。

良品率能拉满！”

顾应湘凑过来，看清上面的制造成本测算数字。

周文远抬起头，双手一直在抖，图纸被捏得哗哗作响。

“老板，这工艺路线太可怕了！

这要是造出来，扶桑那些内存大厂得排队上天台！”

林超没有过多解释。

“设备我们全齐，特种气体足量供应。

给你三天时间，我要看到实物出炉。”

顾应湘转过身，抓起对讲机喊话。

“二线全停！材料组马上准备新配方的硅片。光刻组过来接新掩膜版。”

车间内的员工迅速动了起来。

三天三夜的连轴转。

第四天上午，防静电箱被推入测试区。

第一批256KDRAM芯片封装完毕。