第57章 生长的晶体（1 / 2）
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“很厉害，短短一天时间不到就掌握了。”
包仲文看著李观说道，心中泛起异样的情绪，这么好的苗子搞数学可惜了。
“老沈跟我说了是你强烈要求过来进我的课题组的，我能问问是什么原因吗”
包仲文见李观有些犹豫，接著说道：“你跟老沈那个搞理论的说不清楚，你跟我说，我全力给你提供帮助。”
听到这，李观心中终於做好了决定。
不要看李观轻轻鬆鬆就进了包仲文的课题组，其实他的课题组的保密级別是相当高的，虽然技术暂时还落后於世界。
並且就算os?电晶体研发出来，也还需要专业的人士不断地推进，不断地叠代技术使之能一直保持世界领先地位，这样才能完成真正的崛起。
全靠自己一人，怕真是智商欠费了。
“我想试著做一种新的电晶体，之前是在外国期刊上看到的，直觉告诉我它很有潜力，当然在製备工艺上我做了一些优化。”
李观半真半假地说道，他確实是查了，也確实有人发现这种物质具有一定的迁移率，但根本无法完成晶圆级单晶，只有微米级的小片，这就是数百倍的差距。
而李观从材料中获得的办法是让他自己长出来，在二维液面上限域生长。这简直就是从意识到水蒸气很热，到真正迈入蒸汽时代的巨大飞跃。
“什么材料的”包仲文疑惑地问道，最近最火的就是石墨烯了，但它的特性决定了它不能成为晶片的材料，这孩子不会是想研究石墨烯吧
“os?场效应电晶体。”
“二硫化鉬没听说过这种材料能当晶片的啊你准备怎么製备我好像就看过一两篇论文提到过，但我没记错的话，他的迁移率极限也就在四五百吧”
迁移率是半导体物理中的一个核心参数，用来衡量电荷载流子的迁移能力。简单来说迁移率越高，电子在材料中就跑得越快越顺畅，反之亦然。
所以一个材料能不能当做晶片，这个是重要指標之一。当前使用的硅基材料迁移率的理论上限是不超过1000–15002/。
而二维os?电晶体的迁移率上限只有4002/，这也是当前没有太多人去深入研究这种材料的原因。
但在製程方面，二维os?的最大优势就显现了出来，其单层厚度仅约0.65纳米，而目前最常用的硅基电晶体中最小单位的物理厚度却在5纳米以上。
这还是后世在不断逼近摩尔定律的极限，持续推进电晶体微缩后的成果。
而2010年的现在，即使最先进的实验室里的硅电晶体沟道厚度也在10n以上，这就是数十倍的差距。
当然最重要的是，二维os?电晶体的製备不需要先进位程的光刻机的参与，仅仅90n的光刻机就够了。
“我准备试试，只需要一些硫和鉬就可以。”
“我全力支持你，一会儿你找赵宇，让他带你去取材料。”包仲文大手一挥，表示自己的態度。
他这么积极的主要原因还是希望在试验后，李观能留下来跟著他搞半导体，不要再回数院那个玄虚的地方了。殊不知，李观只是一个还没考上大学的高中生，就连沈建国都不能確定对方会跟著他去数院。
“谢谢包教授。”
说干就干，李观出了洁净区，跑去吃了个饭。不过他並不怎么饿，而且还不累，依然是精力满满。
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